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AS4C4M4E1Q-60JC PDF预览

AS4C4M4E1Q-60JC

更新时间： 2024-01-26 13:30:54
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 254K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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AS4C4M4E1Q-60JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ28,.34
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.9访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0长度：18.54 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：3.56 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

AS4C4M4E1Q-60JC 数据手册

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AS4C4M4EOQ  
AS4C4M4E1Q  
®
Hyper page mode cycle  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
45  
–
Max  
–
Min  
52  
–
Max  
–
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
13  
tCPWD  
tCPA  
CAS precharge to WE delay time  
Access time from CAS precharge  
RAS pulse width  
28  
100K  
–
35  
100K  
–
tRASP  
tDOH  
tREZ  
50  
5
60  
5
Previous data hold time from CAS  
Output buffer turn off delay from RAS  
Output buffer turn off delay from WE  
Output buffer turn off delay from OE  
Hyper page mode cycle time  
0
13  
13  
13  
–
0
15  
15  
15  
–
tWEZ  
tOEZ  
tHPC  
0
0
0
0
20  
47  
30  
25  
56  
35  
tHPRWC Hyper page mode RMW cycle  
tRHCP RAS hold time from CAS  
–
–
–
–
Output enable  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
0
Max  
–
Min  
0
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
8
tCLZ  
tROH  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
tOEH  
tOLZ  
tOFF  
CAS to output in Low Z  
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
8
–
10  
–
–
ns  
–
13  
–
15  
–
ns  
OE to data delay  
13  
0
15  
0
ns  
Output buffer turnoff delay from OE  
OE command hold time  
OE to output in Low Z  
13  
–
15  
–
ns  
8
10  
0
10  
0
ns  
–
–
ns  
Output buffer turn-off time  
0
13  
0
15  
ns  
8,10  
Self-refresh cycle  
-50  
-60  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Min  
Max  
–
Unit  
µs  
Notes  
RAS pulse width  
(CBR self refresh)  
tRASS  
100  
90  
–
–
–
100  
105  
-50  
RAS precharge time  
(CBR self refresh)  
tRPS  
–
–
ns  
ns  
CAS hold time  
(CBR self refresh)  
tCHS  
-50  
3/22/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 8 of 16  
1...567891011...16

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与AS4C4M4E1Q-60JC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS4C4M4E1Q-60TC ALSC

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 		EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28
AS4C4M4EOQ ETC

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 		4M x 4 CMOS QuadCAS DRAM (EDO) family
AS4C4M4F0 ALSC

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 		5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)
AS4C4M4F0-50 ALSC

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 		5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)
AS4C4M4F0-50JC ALSC

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 		5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

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