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AS4C4M4E1Q-60JC PDF预览

AS4C4M4E1Q-60JC

更新时间： 2024-02-09 02:06:37
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 254K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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AS4C4M4E1Q-60JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ28,.34
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.9访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0长度：18.54 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：3.56 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

AS4C4M4E1Q-60JC 数据手册

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AS4C4M4EOQ  
AS4C4M4E1Q  
®
AC parameters common to all waveforms  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
Max  
Min  
100  
40  
60  
10  
15  
12  
10  
50  
5
Max  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
tRC  
Random read or write cycle time  
80  
30  
50  
8
–
–
–
–
tRP  
RAS precharge time  
tRAS  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tRSH  
tCSH  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tT  
RAS pulse width  
10K  
10K  
35  
25  
–
10K  
10K  
43  
30  
–
CAS pulse width  
RAS to CAS delay time  
RAS to column address delay time  
CAS to RAS hold time  
RAS to CAS hold time  
CAS to RAS precharge time  
Row address setup time  
Row address hold time  
Transition time (rise and fall)  
Refresh period  
15  
12  
10  
40  
5
6
7
–
–
–
–
0
–
0
–
8
–
10  
1
–
1
50  
32/64  
–
50  
32/64  
–
4,5  
tREF  
tCP  
–
–
17/16  
CAS precharge time  
8
10  
30  
0
tRAL  
tASC  
tCAH  
Column address to RAS lead time  
Column address setup time  
Column address hold time  
25  
0
–
–
–
–
8
10  
–
Read cycle  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
–
Max  
50  
12  
25  
–
Min  
–
Max  
60  
15  
30  
–
Unit  
ns  
Notes  
6
tRAC  
tCAC  
tAA  
Access time from RAS  
Access time from CAS  
–
–
ns  
6,13  
7,13  
Access time from address  
–
–
ns  
tRCS  
tRCH  
tRRH  
Read command setup time  
Read command hold time to CAS  
Read command hold time to RAS  
0
0
ns  
0
–
0
–
ns  
9
9
0
–
0
–
ns  
3/22/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 6 of 16  
1...3456789...16

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