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AS4C1M16F5-50JI PDF预览

AS4C1M16F5-50JI

更新时间： 2024-02-02 10:05:40
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

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AS4C1M16F5-50JI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.78Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：20.95 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44/50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4C1M16F5-50JI 数据手册

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AS4C1M16F5  
®
Typical DC and AC characteristics  
Normalized access time tRAC  
Normalized access time tRAC  
Typical access time tRAC  
vs. load capacitance CL  
vs. supply voltage VCC  
1.5  
vs. ambient temperature T  
a
1.5  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
1.4  
Ta = 25°C  
1.3  
-70  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
-60  
-50  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
–55  
–10  
35  
80  
50  
100  
150  
200 250  
6.0  
125  
Supply voltage (V)  
Ambient temperature (°C)  
Load capacitance (pF)  
Typical supply current ICC  
vs. supply voltage VCC  
Typical supply current ICC  
Typical power-on current IPO  
vs. cycle rate 1/tRC  
vs. ambient temperature T  
a
170  
160  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
170  
160  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
-50  
-60  
-50  
-60  
0.0  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
–55  
–10  
35  
80  
2
4
6
8
6.0  
125  
10  
Supply voltage (V)  
Ambient temperature (°C)  
Cycle rate (MHz)  
Typical refresh current ICC3  
vs. supply voltage VCC  
Typical refresh current ICC3  
vs. Ambient temperature Ta  
Typical TTL stand-by current ICC2  
vs. supply voltage VCC  
160  
140  
120  
100  
80  
160  
140  
120  
100  
80  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
-50  
-60  
-50  
-60  
60  
60  
40  
40  
20  
4.0  
20  
0.0  
4.5  
5.0  
5.5  
20  
40  
60  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
6.0  
6.0  
80  
Supply voltage (V)  
Ambient temperature (°C)  
Supply voltage (V)  
4/11/01; v.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 19 of 21  
1...161718192021

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