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AS4C1M16E5-45TC

更新时间： 2024-01-13 20:19:07

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ALSC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C1M16E5-45TC 数据手册

AS4C1M16E5

Hyper page mode cycle

-45

-50

-60

Symbol

t_CPWD

t_CPA

Parameter

Min

–

Max

–

Min

–

Max

–

Min

–

Max

–

Unit Notes

CAS precharge to WE delay time

Access time from CAS precharge

RAS pulse width

100K

–

100K

–

100K

–

t_RASP

t_DOH

t_REZ

Previous data hold time from CAS

Output buffer turn off delay from RAS

Output buffer turn off delay from WE

Output buffer turn off delay from OE

Hyper page mode cycle time

Hyper page mode RMW cycle

RAS hold time from CAS

–

t_WEZ

t_OEZ

t_HPC

t_HPRWC

t_RHCP

–

Output enable

-45

-50

-60

Symbol

t_CLZ

Parameter

Min

Max

–

Min

Max

–

Min

Max

–

Unit Notes

CAS to output in Low Z

RAS hold time referenced to OE

OE access time

t_ROH

t_OEA

t_OED

t_OEZ

–

OE to data delay

Output buffer turnoff delay from OE

OE command hold time

OE to output in Low Z

Output buffer turn-off time

–

t_OEH

t_OLZ

–

t_OFF

11,13

4/11/01; v.1.0

Alliance Semiconductor

P. 7 of 22

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