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AS4C16M16S-7TCN

更新时间: 2024-01-24 09:19:44
品牌 Logo 应用领域
ALLIED 时钟动态存储器ISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
55页 1954K
描述
16MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4ns, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOPII-54

AS4C16M16S-7TCN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TSOP2包装说明:0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOPII-54
针数:54Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.66访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS4C16M16S-7TCN 数据手册

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FEBRUARY 2011  
AS4C16M16S  
256Mb / 16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)  
2

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