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AS4C16M16SA-7BCN

更新时间： 2024-01-30 20:42:10

品牌	Logo	应用领域
ALSC		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
55页	1723K
描述
256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM)

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AS4C16M16SA-7BCN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TFBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	2.17	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	长度：	8 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AS4C16M16SA-C&I

Revision History

Revision Details

Date

Rev 1.0

Rev 2.0

Rev 3.0

Preliminary datasheet

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3. Add part number system on the last page.

February 2014

March 2014

March 2015

Alliance Memory Inc. 511 Taylor Way, San Carlos, CA 94070

TEL: (650) 610-6800 FAX: (650) 620-9211

Alliance Memory Inc. reserves the right to change products or specification without notice.

Confidential

Rev. 3.0

Mar./2015

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4C16M16SA-7TCN	ALSC	256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM)	获取价格
AS4C16M16SA-CI	ALSC	Operating temperature range	获取价格
AS4C16M32MD1	ALSC	Four internal banks for concurrent operation	获取价格
AS4C16M32MD1-5BCN	ALSC	Four internal banks for concurrent operation	获取价格
AS4C16M32MD1-5BIN	ALSC	Four internal banks for concurrent operation	获取价格
AS4C16M32MS-6BIN	ALSC	Multiple Burst Read with Single Write Operation	获取价格