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AS4C1M16E5-45TC PDF预览

AS4C1M16E5-45TC

更新时间： 2024-11-09 08:35:07
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C1M16E5-45TC 数据手册

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AS4C1M16E5  
®
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)  
Features  
• 1024 refresh cycles, 16 ms refresh interval  
• Organization: 1,048,576 words × 16 bits  
- RAS-only or CAS-before-RAS refresh Read-modify-write  
• TTL-compatible, three-state DQ  
• JEDEC standard package and pinout  
- 400 mil, 42-pin SOJ  
• High speed  
- 45/50/60 ns RAS access time  
- 20/20/25 ns hyper page cycle time  
- 10/12/15 ns CAS access time  
• Low power consumption  
- Active: 740 mW max (AS4C1M16E5-60)  
- Standby: 5.5 mW max, CMOS DQ  
• Extended data out  
- 400 mil, 44/50-pin TSOP II  
• 5V power supply (AS4C1M16E5)  
• 3V power supply (AS4LC1M16E5)  
• Industrial and commercial temperature available  
Pin designation  
Pin arrangement  
Pin(s)  
A0 to A9  
RAS  
Description  
TSOP II  
SOJ  
VCC  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
VCC  
VSS  
1
2
3
4
5
6
7
8
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
Address inputs  
Vcc  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
Vcc  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
NC  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
VSS  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
2
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
Row address strobe  
Input/output  
3
4
5
DQ1 to DQ16  
OE  
6
DQ5  
7
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
Output enable  
8
DQ6  
DQ7  
DQ8  
9
9
WE  
Write enable  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
10  
11  
NC  
NC  
NC  
WE  
LCAS  
UCAS  
OE  
UCAS  
LCAS  
Column address strobe, upper byte  
Column address strobe, lower byte  
Power  
RAS  
NC  
A9  
NC  
A8  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
A9  
A8  
VCC  
A0  
A7  
A1  
A6  
A2  
A5  
VSS  
Ground  
A3  
A4  
Vcc  
VSS  
A7  
A6  
A1  
A2  
A3  
VCC  
23  
24  
25  
A5  
A4  
VSS  
28  
27  
26  
Selection guide  
Symbol  
tRAC  
tAA  
-45  
45  
-50  
50  
-60  
60  
Unit  
ns  
Maximum RAS access time  
Maximum column address access time  
Maximum CAS access time  
23  
25  
30  
ns  
tCAC  
tOEA  
tRC  
10  
12  
15  
ns  
Maximum output enable (OE) access time  
Minimum read or write cycle time  
Minimum hyper page mode cycle time  
Maximum operating current  
12  
13  
15  
ns  
75  
80  
100  
25  
ns  
tHPC  
ICC1  
ICC5  
20  
20  
ns  
155  
1.0  
145  
1.0  
135  
1.0  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
4/11/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 22  
Copyright ©Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...22

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