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AS4C14405-40JC

更新时间: 2024-01-03 21:17:11
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 395K
描述
1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

AS4C14405-40JC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP20/26(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:40 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP20/26(UNSPEC)封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

AS4C14405-40JC 数据手册

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AS4C14400  
®
Timing waveform of read cycle  
tRC  
tRAS  
tRCD  
tRSH  
tRP  
RAS  
tCSH  
tRCS  
tCAH  
tCRP  
tASC  
tCAS  
CAS  
tAR  
tRAD  
tRAL  
tRAH  
tASR  
Row  
Address  
Column  
tRRH  
tRCH  
WE  
OE  
tROH  
tOEZ  
tRAC  
tAA  
tOEA  
tCAC  
tOFF  
tCLZ  
I/O  
Data Out  
Timing waveform of early write cycle  
tRC  
tRAS  
tRP  
RAS  
tCSH  
tRSH  
tCRP  
tRCD  
tCAS  
CAS  
tAWR  
tRAD  
tRAL  
tCAH  
tASC  
tASR  
tRAH  
Row  
Column  
tWCR  
Address  
tCWL  
tRWL  
tWP  
tWCS  
tWCH  
WE  
OE  
tDHR  
tDS  
tDH  
Data In  
I/O  
8

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