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AS29LV800B-90SC

更新时间： 2024-01-11 18:21:06

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ANADIGICS		闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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描述
3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

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AS29LV800B-90SC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

AS29LV800B-90SC 数据手册

March 2001

AS29LV800

Thin small outline package (TSOP-I)

Package dimensions

48-pin

12×20

Min

Max

1.27

0.15

1.05

0.27

–

0.05

0.95

0.17

pin 1

pin 48

0.15 nominal

18.20

18.60

0.50 nominal

11.90

19.80

0.50

0°

12.10

20.20

0.70

5°

pin 24

pin 25

48-pin

Small Outline Plastic (SO)

Package dimensions

44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23

JEDEC MO - 175 AA

44-pin SO

Min (mm) Max (mm)

–

3.1

–

0.05

2.5

2.9

0.45

0–10°

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22

0.25

0.09

28.0

12.4

0.25

28.4

12.8

A₂

1.27 (typical)

16.05 (typical)

0.73 1.3

A₁

3/22/01; V.1.0

Alliance Semiconductor

P. 24 of 25

1...21 22 232425

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