5秒后页面跳转
AS29LV800B-90SC PDF预览

AS29LV800B-90SC

更新时间: 2024-02-27 01:21:54
品牌 Logo 应用领域
ANADIGICS 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 440K
描述
3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

AS29LV800B-90SC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.76Is Samacsys:N
最长访问时间:90 ns备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,15
端子数量:48字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

AS29LV800B-90SC 数据手册

 浏览型号AS29LV800B-90SC的Datasheet PDF文件第18页浏览型号AS29LV800B-90SC的Datasheet PDF文件第19页浏览型号AS29LV800B-90SC的Datasheet PDF文件第20页浏览型号AS29LV800B-90SC的Datasheet PDF文件第22页浏览型号AS29LV800B-90SC的Datasheet PDF文件第23页浏览型号AS29LV800B-90SC的Datasheet PDF文件第24页 
March 2001  
AS29LV800  
®
Word/byte configuration  
-70R/80/90/120  
JEDEC  
Symbol Std Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
10  
30  
-
Unit  
ns  
-
-
-
tELFL/tELFH  
tFLQZ  
-
-
CE to BYTE switching Low or High  
BYTE switching Low to output High-Z  
BYTE switching High to output Active  
ns  
ns  
tFHQZ  
80  
BYTE read waveform  
CE  
OE  
BYTE  
Word  
tELFL  
DQ0-DQ14  
Data output  
DQ0-DQ7  
Data output  
DQ0-DQ14  
DQ15/A-1  
BYTE  
to  
Byte  
DQ15 output  
tFLQZ  
Address input  
tELFH  
Byte  
to  
Word  
DQ0-DQ14  
Data output  
DQ0-DQ7  
Data output  
DQ0-DQ14  
DQ15/A-1  
Address input  
tFHQV  
DQ15 output  
BYTE write waveform  
CE  
falling edge of last WE signal  
WE  
BYTE  
tSET  
See Erase/Program operations table for tAS and tAH specifications.  
(tAS  
)
tHOLD (tAH)  
Sector protect/unprotect  
VID  
VIH  
RESET#  
SA, A6,  
A1, A0  
Don’t care  
Valid*  
60h  
Don’t care  
Don’t care  
Valid*  
Don’t care  
Don’t care  
Valid*  
Status  
Sector protect/unprotect  
Verify  
40h  
60h  
DATA  
Sector protect: 100 µs  
Sector unprotect: 10 ms  
1 µs  
CE#  
WE#  
OE#  
3/22/01; V.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 21 of 25  

与AS29LV800B-90SC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS29LV800B-90SI ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
AS29LV800B-90TC ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
AS29LV800B-90TI ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
AS29LV800T-120SC ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
AS29LV800T-120SI ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
AS29LV800T-120TC ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
AS29LV800T-120TC ALSC

获取价格

Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48
AS29LV800T-120TI ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
AS29LV800T-70RSC ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
AS29LV800T-70RSI ANADIGICS

获取价格

3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM