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AS2003M

更新时间: 2024-11-11 18:06:55
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安邦 - ANBON /
页数 文件大小 规格书
10页 2553K
描述
SOT-23-6L

AS2003M 数据手册

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AS2003M  
N and P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Product Summary  
V(BR)DSS  
RDS(on)MAX  
35mΩ@4.5V  
55mΩ@2.5V  
ID  
V(BR)DSS  
RDS(on)MAX  
ID  
75mΩ@-4.5V  
100mΩ@-2.5V  
20V  
3A  
-20V  
-3A  
Feature  
Application  
Advanced trench process technology  
High density cell design for ultra low on-resistance  
Battery protection  
Switching application  
Package  
Circuit diagram  
SOT-23-6L  
Marking  
D1  
S1  
D2  
2003  
G2  
G1  
S2  
http://www.anbonsemi.com  
TEL:+86-755-23776891  
FAX:+86-755-81482812  
Document ID  
AS-3150178  
Issued Date  
2003/03/08  
Revised Date  
2015/05/16  
Revision  
D
Page.  
10  
Page 1  

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