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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTM08TAM04PG
APTM08TAM04PG PDF预览

APTM08TAM04PG

更新时间： 2024-11-27 04:06:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 286K
描述
Triple phase leg MOSFET Power Module

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APTM08TAM04PG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：21Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X21JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：6
端子数量：21工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：250 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTM08TAM04PG 数据手册

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APTM08TAM04PG  
VDSS = 75V  
Triple phase leg  
RDSon = 4.2mΩ max @ Tj = 25°C  
MOSFET Power Module  
ID = 120A @ Tc = 25°C  
Application  
VBUS1  
VBUS2  
VBUS3  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
G1  
S1  
G3  
S3  
G5  
S5  
U
V
W
Features  
•
Power MOSFETs  
-
-
-
-
-
-
Low RDSon  
G2  
S2  
G4  
G6  
Low input and Miller capacitance  
Low gate charge  
S4  
S6  
Fast intrinsic diode  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
0/VBUS1  
0/VBUS2  
0/VBUS3  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
VBUS 1  
VBUS 2  
VBUS 3  
G1  
G3  
S3  
G5  
S5  
S1  
0/VBUS 1  
0/VBUS 2  
0/VBUS 3  
S2  
G2  
S4  
G4  
S6  
•
•
Very low (12mm) profile  
G6  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of three times the current capability  
Module can be configured as a three phase bridge  
Module can be configured as a boost followed by a  
full bridge  
U
V
W
•
•
•
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
75  
120  
90  
250  
±30  
4.5  
138  
V
Tc = 25°C  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
75  
A
Repetitive Avalanche Energy  
50  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
1500  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
www.microsemi.com  
1 – 7  
1234567

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与APTM08TAM04PG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTM08TAM04PG-Module MICROCHIP

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 		MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery
APTM08TDUM04P ADPOW

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 		Triple dual common source MOSFET Power Module
APTM08TDUM04PG MICROSEMI

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