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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | 3 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X21 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 21 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM08TDUM04PG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple dual common source MOSFET Power Module |
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| APTM100A12ST | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 1000V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APTM100A12STG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 1000V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APTM100A13D | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module |
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| APTM100A13DG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module |
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| APTM100A13DG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM100A13SC | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1000V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APTM100A13SCG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Series & SiC parallel diodes MOSFET Power Module |
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| APTM100A13SCG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM100A13SG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Series & parallel diodes MOSFET Power Module |
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