5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.84 |
| 接口集成电路类型： | FULL BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-XXMA-X12 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 12 |
| 输出电流流向： | SOURCE AND SINK | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 断开时间： | 1 µs | 接通时间： | 0.4 µs |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM08TAM04P | ADPOW |
获取价格 |
Triple phase leg MOSFET Power Module |
|
| APTM08TAM04PG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple phase leg MOSFET Power Module |
|
| APTM08TAM04PG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
|
| APTM08TDUM04P | ADPOW |
获取价格 |
Triple dual common source MOSFET Power Module |
|
| APTM08TDUM04PG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple dual common source MOSFET Power Module |
|
| APTM100A12ST | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 1000V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| APTM100A12STG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 1000V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| APTM100A13D | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module |
|
| APTM100A13DG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module |
|
| APTM100A13DG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
