APT75F50B2

更新时间： 2024-11-24 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel FREDFET

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APT75F50B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AB
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	1580 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AB
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1040 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT75F50B2 数据手册

APT75F50B2

APT75F50L

500V,ꢀ75A,ꢀ0.075ΩꢀMax,ꢀt ≤310ns

N-ChannelꢀFREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

T-Max^®

TO-264

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching loss. The

rss iss

APT75F50B2

APT75F50L

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

•ꢀ ZVSꢀphaseꢀshiftedꢀandꢀotherꢀfullꢀbridge

•ꢀꢀFastꢀswitchingꢀwithꢀlowꢀEMI

•ꢀꢀHalfꢀbridge

ꢀ •ꢀꢀLowꢀt ꢀforꢀhighꢀreliability

•ꢀꢀPFCꢀandꢀotherꢀboostꢀconverter

•ꢀ Buckꢀconverter

ꢀ •ꢀꢀUltraꢀlowꢀC ꢀforꢀimprovedꢀnoiseꢀimmunity

rss

ꢀ •ꢀꢀLowꢀgateꢀcharge

ꢀ •ꢀꢀAvalancheꢀenergyꢀrated

•ꢀꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀꢀSingleꢀandꢀtwoꢀswitchꢀforward

•ꢀꢀFlyback

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

230

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

1580

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

1040

0.12

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.11

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-264Package), 4.40 or M3 screw

1.1

MicrosemiWebsite-http://www.microsemi.com

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK78N50P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFK74N50P2	IXYS	功能相似	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET
APT75F50L	MICROSEMI	功能相似	N-Channel FREDFET

与APT75F50B2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT75GL60BN	MICROSEMI	获取价格	75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT75GN120B2	ADPOW	获取价格	IGBT
APT75GN120B2G	ADPOW	获取价格	IGBT
APT75GN120B2G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT75GN120J	ADPOW	获取价格	IGBT
APT75GN120JDQ3	ADPOW	获取价格	IGBT
APT75GN120JDQ3	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT75GN120L	ADPOW	获取价格	IGBT
APT75GN120LG	ADPOW	获取价格	IGBT

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