是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.8 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.83 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APM2700CCCTRL | ANPEC |
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Dual enhancement Mode MOSFET | |
APM2700CCCTU | ANPEC |
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Dual enhancement Mode MOSFET | |
APM2700CCCTUL | ANPEC |
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Dual enhancement Mode MOSFET | |
APM2701AC | SINOPWER |
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Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) | |
APM2701ACC-TRG | SINOPWER |
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Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) | |
APM2701CG | TYSEMI |
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N-Channelï¼VDS=20V ID=3A P-Channelï¼VDS=-20 | |
APM2701CG | ANPEC |
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Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel) | |
APM2701CGC-TR | ANPEC |
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Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel) | |
APM2701CGC-TRL | ANPEC |
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Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel) | |
APM2800B | ANPEC |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |