是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.71 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APM2701CG | TYSEMI |
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N-Channelï¼VDS=20V ID=3A P-Channelï¼VDS=-20 |
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APM2701CG | ANPEC |
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Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel) |
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APM2701CGC-TR | ANPEC |
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Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel) |
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APM2701CGC-TRL | ANPEC |
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Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel) |
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APM2800B | ANPEC |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |
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APM2800BC-TR | ANPEC |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |
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APM2800BC-TRL | ANPEC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |
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APM2800BC-TU | ANPEC |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |
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APM2800BC-TUL | ANPEC |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |
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APM2801B | ANPEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |
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