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APM3009N

更新时间： 2024-02-26 07:58:16

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12页	718K
描述
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM3009N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

APM3009N 数据手册

APM3009N

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

30V/70A , R_DS(ON)=7mΩ(typ.) @ V_GS=10V

_DS(ON)=11mΩ(typ.) @ V_GS=4.5V

Super High Dense Advanced Cell Design for

Extremely Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

TO-220 , TO-252 and TO-263 Packages

Applications

Top View of TO-220, TO-252 and TO-263

•

Power Management in Desktop Computer or

DC/DCConverters.

Ordering and Marking Information

APM 3009N

P ackage C ode

F : TO -220

G : TO -263

U : TO -252

O perating Junction T em p. R ange

H andling C ode

T em p. R ange

P ackage C ode

C : -55 to 125

H andling C ode

TU : Tube

T R : T ape & R eel

- D ate C ode

X X X X X

A P M 3009N F /G /U :

A P M 3009N

X X X X X

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Rating

Unit

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

I_D

Maximum Drain Current – Continuous

Maximum Drain Current – Pulsed

I_DM

110

* Surface Mounted on FR4 Board, t 10 sec.

≤

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

www.anpec.com.tw

Rev. A.3 - May., 2002

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