是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 零件包装代码: | TO-251 |
包装说明: | TO-251, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.19 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.006 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 150 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APM2506NUBC-PBL | ANPEC |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2506NUC-TR | ANPEC |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2506NUC-TRL | ANPEC |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
APM2506NUC-TU | ANPEC |
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APM2506NUC-TUL | ANPEC |
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APM2509NU | ANPEC |
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APM2509NUB | ANPEC |
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APM2509NUBC-PB | ANPEC |
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APM2509NUBC-PBL | ANPEC |
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APM2509NUC-TR | ANPEC |
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