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APM2512NUC-TRL

更新时间： 2024-09-21 21:54:55

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茂达 - ANPEC		/
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9页	207K
描述
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM2512NUC-TRL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES

APM2512NUC-TRL 数据手册

APM2512N

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Pin Description

•

25V/40A , R_DS(ON)=9mΩ(typ.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=13mΩ(typ.) @ V_GS=4.5V

Super High Dense Cell Design for Extremely

Low R_DS(ON)

•

Reliable and Rugged

TO-252 Package

Top View of TO-252

Applications

•

Power Management in Computer, Portable

Equipment and Battery Powered Systems.

N-Channel MOSFET

Ordering and Marking Information

Package Code

U : TO-252

APM2512N

Operation Junction Temp. Range

Lead Free Code

Handling Code

C :-55 to 150 C

Handling Code

TR : Tape & Reel

L : Lead Free Code

Temp. Range

Package Code

L : Lead Free Device Blank : Original Device

APM2512N

XXXXX

APM2512N U :

XXXXX - Date Code

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±20

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise

customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Rev. A.1 - Oct., 2003

www.anpec.com.tw

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