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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9B111L-10V3C | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9B111L-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9B111L-8V3C | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9B111L-8VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9B112-10TC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9B112-10V3C | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 |
|
| AP9B112-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9B112-8TC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9B112-8V3C | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32 |
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| AP9B112-8VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32 |
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