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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.81 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.072 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP2530GY-HF | A-POWER |
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Low Gate Charge, Low On-resistance |
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| AP2531GY | A-POWER |
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N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2532GY | A-POWER |
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Low Gate Charge, Fast Switching Performance |
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| AP2533GY-HF | A-POWER |
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Low Gate Charge, Fast Switching Performance |
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| AP2535GEY | A-POWER |
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SOT-26 |
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| AP2535GEY-HF | A-POWER |
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Capable of 1.8V Gate Drive, Lower Gate Charge |
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| AP2552 | DIODES |
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The AP2552/53and AP2552A/53A are single channel precision adjustable current-limited switc |
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| AP2552AFDC | DIODES |
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The AP2552/53and AP2552A/53A are single channel precision adjustable current-limited switc |
|
| AP2552AFDC-7 | DIODES |
获取价格 |
The AP2552/53and AP2552A/53A are single channel precision adjustable current-limited switc |
|
| AP2552AW6 | DIODES |
获取价格 |
The AP2552/53and AP2552A/53A are single channel precision adjustable current-limited switc |
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