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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP18P10GS-HF | A-POWER |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| AP18SCN | BANNER |
获取价格 |
S18-2 Plastic 18 mm Barrel Sensors |
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| AP18SRN | BANNER |
获取价格 |
M18-3 Nickel-Plated Brass 18 mm Barrel Sensors |
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| AP18T10AGH,J-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP18T10AGH-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND RO |
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| AP18T10AGHJ-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP18T10AGK-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP18T10GH | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP18T10GH,J-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP18T10GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND RO |
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