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AP18T10GP-HF

更新时间： 2024-10-04 13:02:15

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	96K
描述
Power Field-Effect Transistor

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AP18T10GP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

AP18T10GP-HF 数据手册

AP18T10AGK-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

100V

160mΩ

2.8A

▼ Lower Gate Charge

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Halogen Free & RoHS Compliant Product

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-

effectiveness.

SOT-223

The SOT-223 package is designed for suface mount application,

larger heatsink than SO-8 and SOT package.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

100

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

Continuous Drain Current³, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

2.8

2.2

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

2.8

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201102232

12 3 4

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