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AP18T10GJ-HF

更新时间： 2024-10-04 21:14:43
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
TRANSISTOR 9 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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AP18T10GJ-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP18T10GJ-HF 数据手册

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AP18T10GH/J-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
100V  
160mΩ  
9A  
▼ Lower Gate Charge  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
▼ Halogen Free & RoHS Compliant Product  
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-  
effectiveness.  
G
D
S
TO-252(H)  
The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP18T10GJ)  
are available for low-profile applications.  
G
D
S
TO-251(J)  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
100  
Gate-Source Voltage  
+20  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
9
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
5.6  
A
30  
28  
A
PD@TC=25℃  
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
Total Power Dissipation3  
W
W
℃
℃
2
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
4.5  
Units  
℃/W  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Rthj-a  
62.5  
110  
Rthj-a  
Maixmum Thermal Resistance, Junction-ambient  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201009102  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP18T10GM-HF A-POWER

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