AN0130NA

更新时间： 2024-11-23 22:05:43

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超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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5页	165K
描述
8 Channel Power MOSFET Array Monolithic N-channel Enchancement Mode

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AN0130NA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T18
针数：	18	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.03 A
最大漏极电流 (ID)：	0.03 A	最大漏源导通电阻：	300 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	1.5 pF
JESD-30 代码：	R-PDIP-T18	JESD-609代码：	e0
元件数量：	8	端子数量：	18
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AN0130NB	SUPERTEX	获取价格	8 Channel Power MOSFET Array Monolithic N-channel Enchancement Mode
AN0130ND	SUPERTEX	获取价格	8 Channel Power MOSFET Array Monolithic N-channel Enchancement Mode
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