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AN0132WG

更新时间: 2024-11-19 22:05:43
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超科 - SUPERTEX /
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5页 165K
描述
8 Channel Power MOSFET Array Monolithic N-channel Enchancement Mode

AN0132WG 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G20
针数:20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
配置:COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:320 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A最大漏极电流 (ID):0.03 A
最大漏源导通电阻:350 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):1.5 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G20
JESD-609代码:e0元件数量:8
端子数量:20工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1.4 W最大功率耗散 (Abs):1.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

AN0132WG 数据手册

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