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AN0130ND

更新时间: 2024-11-24 20:15:07
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 125K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,300V V(BR)DSS,30MA I(D),CHIP / DIE

AN0130ND 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DIE-17Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.38Is Samacsys:N
配置:COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A最大漏源导通电阻:300 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):1.5 pF
JESD-30 代码:S-XUUC-N17JESD-609代码:e0
元件数量:8端子数量:17
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:125 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

AN0130ND 数据手册

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