AM81214-015

更新时间： 2024-11-21 12:50:03

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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AM81214-015 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	1.8 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	250 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	37.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1400 MHz	Base Number Matches：	1

AM81214-015 数据手册

AM81214-015

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

DESCRIPTION:

The ASI AM81214-015 is an NPN silicon

bipolar transistor designed for L-Band

pulsed radar applications. It utilizes internal

matching and gold metalization for high

reliability and good VSWR capability.

FEATURES:

• 1.2 to 1.4 GHz operation

• Internal Input/Output Matching Network

• P_G= 8.5 dB at 14.5 W/1400 MHz

• Omnigold™ Metalization System

• 5:1 VSWR capability rated at conditions

MAXIMUM RATINGS

1.8 A

32 V

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

37.5 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +250 °C

-65 °C to +200 °C

4.0 °C/W

T_STG

θ_JC

Common Base

CHARACTERISTICS ^T_C^{= 25 °C}

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 15 mA

I_E= 1.5 mA

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 Ω

3.5

_CE= 28 V

_CE= 5.0 V

V_BE= 28 V

I_C= 1.0 A

1.5

---

300

h_FE

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. B

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