AM81214-030

更新时间： 2024-11-17 22:05:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频和微波射频双极晶体管开关雷达局域网
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描述
L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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AM81214-030 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.32	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	2.75 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	250 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	63 W
最小功率增益 (Gp)：	7.2 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AM81214-030 数据手册

AM81214-030

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

L-BAND RADAR APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER SITE BALLASTED

RUGGEDIZED VSWR :1

∞

LOW THERMAL RESISTANCE

INPUT/OUTPUT MATCHING

OVERLAY GEOMETRY

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

P_OUT= 26 W MIN. WITH 7.2 dB GAIN

.310 x .310 2LFL (S064)

hermetically sealed

ORDER CODE

AM81214-030

BRANDING

81214-30

DESCRIPTION

PIN CONNECTION

The AM81214-030 device isa high power transistor

specifically designed for L-Band Radar pulsed

driver applications.

The device is capable of operation over a wide

range of pulse widths, duty cycles and tempera-

tures and is capable of withstanding :1 output

∞

VSWR at rated RF conditions. Low RF thermal

resistance and computerized automatic wire bond-

ing techniques ensure high reliability and product

consistency.

The AM81214-030 is supplied in the IMPAC Her-

metic Metal/Ceramic package with internal

Input/Output matching structures.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

P_DISS

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤ 100°C)

I_C

V_CC

T_J

2.75

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature (Pulsed RF Operation)

Storage Temperature

250

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

2.4

°C/W

*Applies only to rated RF amplifier operation

August 1992

1/6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM81214-060	STMICROELECTRONICS	获取价格	L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS
AM81214-060	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
AM81214-300	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
AM81214-6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 48V V(BR)CEO \| 820MA I(C) \| FO-57DVAR
AM8127	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DC	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DCB	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DM	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
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