AM81214-060

更新时间： 2024-11-17 22:05:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频和微波晶体管雷达局域网
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描述
L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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AM81214-060 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	250 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	107 W	最小功率增益 (Gp)：	6.6 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AM81214-060 数据手册

AM81214-060

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

L-BAND RADAR APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER SITE BALLASTED

RUGGEDIZED VSWR :1

∞

LOW THERMAL RESISTANCE

INPUT/OUTPUT MATCHING

OVERLAY GEOMETRY

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

.400 x .400 2NLFL (S042)

hermeticaly sealed

P_OUT

55 W MIN. WITH 6.6 dB GAIN

ORDER CODE

AM81214-060

BRANDING

81214-60

DESCRIPTION

PIN CONNECTION

The AM81214-060 device isa high power transistor

specifically designed for L-Band radar pulsed out-

put and driver applications.

The device is capable of operation over a wide

range of pulse widths, duty cycles, and tempera-

tures and is capable of withstanding :1 output

∞

VSWR at rated RF conditions. Low RF thermal

resistance and computerized automatic wire bond-

ing techniques ensure high reliability and product

consistency.

The AM81214-060 is supplied in the AMPAC

Hermetic Metal/Ceramic package with internal

Input/Output matching structures.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

Parameter

Value

Unit

P_DISS

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤ 100°C)

107

I_C

V_CC

T_J

5.0

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature (Pulsed RF Operation)

Storage Temperature

250

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

1.4

°C/W

*Applies only to rated RF amplifier operation

August 1992

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM81214-300	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
AM81214-6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 48V V(BR)CEO \| 820MA I(C) \| FO-57DVAR
AM8127	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DC	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DCB	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DM	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DMB	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DT	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127DTB	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator
AM8127LC	ETC	获取价格	AM8127 Clock Generator