是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | PLASTIC, LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.46 | 最长访问时间: | 70 ns |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29LV040B-90EC | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory | |
AM29LV040B-90ECB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32 | |
AM29LV040B-90ED | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory | |
AM29LV040B-90EDB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32 | |
AM29LV040B-90EE | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory | |
AM29LV040B-90EEB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32 | |
AM29LV040B-90EF | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory | |
AM29LV040B-90EFB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32 | |
AM29LV040B-90EI | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory | |
AM29LV040B-90EIB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32 |