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AM29LV040B-70EEB

更新时间： 2024-11-04 18:18:39
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 720K
描述
Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32

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AM29LV040B-70EEB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：MO-142BD, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.39最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

AM29LV040B-70EEB 数据手册

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Am29LV040B  
4 Megabit (512 K x 8-Bit)  
CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Unlock Bypass Program Command  
— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write  
operations for battery-powered applications  
— Reduces overall programming time when issuing  
multiple program command sequences  
— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read and  
write operations and for compatibility with high  
performance 3.3 volt microprocessors  
■ Embedded Algorithms  
— Embedded Erase algorithms automatically  
preprogram and erase the entire chip or any  
combination of designated sectors  
■ Manufactured on 0.32 µm process technology  
■ High performance  
— Embedded Program algorithms automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
— Full voltage range: access times as fast as 70 ns  
— Regulated voltage range: access times as fast as  
60 ns  
■ Minimum 1,000,000 write/erase cycles  
guaranteed  
■ 20-year data retention at 125°C  
— Reliable operation for the life of the system  
■ Package option  
■ Ultra low power consumption (typical values at  
5 MHz)  
— Automatic sleep mode: 1 µA  
— Standby mode: 1 µA  
— 32-pin PLCC  
— Read mode: 7 mA  
— 32-pin TSOP  
— Program/erase mode: 15 mA  
■ Compatibility with JEDEC standards  
— Pinout and software compatible with single-  
power supply Flash  
■ Flexible sector architecture  
— Eight 64 Kbyte sectors  
— Superior inadvertent write protection  
— Any combination of sectors can be erased;  
supports full chip erase  
■ Data# Polling and toggle bits  
— Sector Protection features:  
— Provides a software method of detecting program  
or erase cycle completion  
Hardware method of locking a sector to prevent  
any program or erase operations within that sector  
■ Erase Suspend/Resume  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
— Supports reading data from or programming data  
to a sector not being erased  
Publication# 21354 Rev: D Amendment/0  
Issue Date: November 11, 1999  
1234567...34

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与AM29LV040B-70EEB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29LV040B-70EF AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory
AM29LV040B-70EFB SPANSION

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32
AM29LV040B-70EI AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory
AM29LV040B-70EIB SPANSION

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32, MO-142BD, TSOP-32
AM29LV040B-70EK AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector 32-Pin Flash Memory
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 		x8 Flash EEPROM
AM29LV040B-70FCB SPANSION

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AM29LV040B-70FDB SPANSION

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