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AM29LV008BB-120EF

更新时间： 2024-02-18 03:34:37
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
41页 720K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

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AM29LV008BB-120EF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP40,.8,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：40
字数：1048576 words字数代码：1000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP40,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
就绪/忙碌：YES反向引出线：YES
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

AM29LV008BB-120EF 数据手册

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D A T A S H E E T  
CONNECTION DIAGRAMS  
A17  
VSS  
NC  
A19  
A10  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
VCC  
VCC  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A9  
1
2
3
4
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
5
6
7
A8  
8
WE#  
RESET#  
NC  
RY/BY#  
A18  
A7  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
Standard TSOP  
NC  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
OE#  
VSS  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
CE#  
A0  
PIN CONFIGURATION  
LOGIC SYMBOL  
A0–A19  
= 20 addresses  
20  
DQ0–DQ7 = 8 data inputs/outputs  
A0–A19  
8
CE#  
=
=
=
=
=
=
Chip enable  
DQ0–DQ7  
OE#  
Output enable  
WE#  
Write enable  
CE#  
OE#  
RESET#  
RY/BY#  
Hardware reset pin, active low  
Ready/Busy# output  
WE#  
RESET#  
V
3.0 volt-only single power supply  
CC  
(see Product Selector Guide for speed  
options and voltage supply tolerances)  
RY/BY#  
V
=
=
Device ground  
SS  
NC  
Pin not connected internally  
October 11, 2006 21524D6  
Am29LV008B  
7
1...45678910...41

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29LV008BB120EI ETC

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