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AM29LV008BB-120EF

更新时间： 2024-02-07 12:44:33
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
41页 720K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

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AM29LV008BB-120EF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP40,.8,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：40
字数：1048576 words字数代码：1000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP40,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
就绪/忙碌：YES反向引出线：YES
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

AM29LV008BB-120EF 数据手册

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D A T A S H E E T  
PRODUCT SELECTOR GUIDE  
Family Part Number  
Am29LV008B  
Regulated Voltage Range: VCC =3.0–3.6 V  
Full Voltage Range: VCC = 2.7–3.6 V  
Max access time, ns (tACC  
Max CE# access time, ns (tCE  
Max OE# access time, ns (tOE  
-70R  
Speed Options  
-90  
90  
90  
35  
-120  
120  
120  
50  
)
70  
70  
30  
)
)
Note: See “AC Characteristics” for full specifications.  
BLOCK DIAGRAM  
DQ0–DQ7  
RY/BY#  
VCC  
Sector Switches  
VSS  
Erase Voltage  
Generator  
Input/Output  
Buffers  
RESET#  
State  
Control  
WE#  
Command  
Register  
PGM Voltage  
Generator  
Data  
Latch  
Chip Enable  
Output Enable  
Logic  
STB  
CE#  
OE#  
Y-Decoder  
Y-Gating  
STB  
VCC Detector  
Timer  
Cell Matrix  
X-Decoder  
A0–A19  
6
Am29LV008B  
21524D6 October 11, 2006  
1...3456789...41

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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