是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIE, |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.23 |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | MIN 1000K WRITE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION ;CAN BE CONFG AS 256K X 16; TOP BOOT BLOCK |
启动块: | TOP | 数据保留时间-最小值: | 20 |
JESD-30 代码: | X-XUUC-N43 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 43 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIE | 封装形状: | UNSPECIFIED |
封装形式: | UNCASED CHIP | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F400BT-120DWC2 | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die | |
AM29F400BT-120DWC2 | SPANSION |
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Flash, 256KX16, 120ns, WAFER-43 | |
AM29F400BT-120DWD1 | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 120ns, | |
AM29F400BT-120DWD2 | SPANSION |
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Flash, 256KX16, 120ns, WAFER-43 | |
AM29F400BT-120DWE | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die | |
AM29F400BT-120DWE1 | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 120ns, | |
AM29F400BT-120DWE1 | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die | |
AM29F400BT-120DWE2 | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die | |
AM29F400BT-120DWE2 | SPANSION |
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Flash, 256KX16, 120ns, WAFER-43 | |
AM29F400BT-120DWF1 | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 120ns, |