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AM29F400BT-120EEB

更新时间： 2024-09-20 22:35:11
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
37页 483K
描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

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AM29F400BT-120EEB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.14Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：16
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,7
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

AM29F400BT-120EEB 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29F400B  
4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
— 5.0 volt-only operation for read, erase, and  
program operations  
■ Embedded Algorithms  
— Minimizes system level requirements  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
■ Manufactured on 0.35 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29F400 device  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
■ High performance  
— Access times as fast as 55 ns  
■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per  
■ Low power consumption (typical values at 5  
sector guaranteed  
MHz)  
■ Package option  
— 48-pin TSOP  
— 44-pin SO  
— 1 µA standby mode current  
— 20 mA read current (byte mode)  
— 28 mA read current (word mode)  
— 30 mA program/erase current  
■ Compatibility with JEDEC standards  
— Pinout and software compatible with single-  
power-supply Flash  
■ Flexible sector architecture  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
seven 64 Kbyte sectors (byte mode)  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and toggle bits  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
seven 32 Kword sectors (word mode)  
— Provides a software method of detecting  
program or erase operation completion  
— Supports full chip erase  
■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)  
— Sector Protection features:  
— Provides a hardware method of detecting  
program or erase cycle completion  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
— Hardware method to reset the device to reading  
array data  
Publication# 21505 Rev: C Amendment/+2  
Issue Date: April 1998  
1234567...37

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与AM29F400BT-120EEB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F400BT-120EF AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29F400BT-120EF0 AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29F400BT-120EI AMD

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AM29F400BT-120EI0 AMD

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AM29F400BT-120EIB AMD

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AM29F400BT-120EK AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29F400BT-120EKB SPANSION

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 		Flash, 512KX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48
AM29F400BT-120FC AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29F400BT-120FCB AMD

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