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AM29F400BT-120DWE1

更新时间： 2024-09-21 05:33:51
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 136K
描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1

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AM29F400BT-120DWE1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DIE,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.23
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
其他特性：MIN 1000K WRITE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION ;CAN BE CONFG AS 256K X 16; TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
数据保留时间-最小值：20JESD-30 代码：X-XUUC-N43
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：43字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：512KX8封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：UNCASED CHIP并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

AM29F400BT-120DWE1 数据手册

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SUPPLEMENT  
Am29F400B Known Good Die  
4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory—Die Revision 1  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
— 5.0 volt-only operation for read, erase, and  
program operations  
■ Embedded Algorithms  
— Minimizes system level requirements  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
■ Manufactured on 0.35 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29F400 device  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
■ High performance  
— Acess time as fast as 70 ns  
■ Minimum 1,000,000 write cycle per sector  
■ Low power consumption (typical values at 5  
guaranteed  
MHz)  
■ Compatibility with JEDEC standards  
— 1 µA standby mode current  
— Pinout and software compatible with single-  
power-supply Flash  
— 20 mA read current (byte mode)  
— 28 mA read current (word mode)  
— 30 mA program/erase current  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and toggle bits  
■ Flexible sector architecture  
— Provides a software method of detecting  
program or erase operation completion  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
seven 64 Kbyte sectors (byte mode)  
■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
seven 32 Kword sectors (word mode)  
— Provides a hardware method of detecting  
program or erase cycle completion  
— Supports full chip erase  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
— Sector Protection features:  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
— Hardware method to reset the device to reading  
array data  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
Publication# 21258 Rev: B Amendment/+1  
Issue Date: April 1998  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
AM29F400BT-120DWE2 SPANSION

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 		Flash, 256KX16, 120ns, WAFER-43
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