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AM29F080B-150FCB

更新时间： 2024-11-03 22:23:43
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD /
页数 文件大小 规格书
37页 426K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F080B-150FCB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：SOP, TSSOP40,.8,20
针数：40Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.48最长访问时间：150 ns
其他特性：MINIMUM 1000000 PROGRAM/ERASE CYCLES命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：16
端子数量：40字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：TSSOP40,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
反向引出线：YES部门规模：64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE

AM29F080B-150FCB 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29F080B  
8 Megabit (1 M x 8-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ 5.0 V ± 10%, single power supply operation  
■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per  
sector guaranteed  
■ Package options  
— 40-pin TSOP  
— Minimizes system level power requirements  
■ Manufactured on 0.35 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29F080 device  
— 44-pin SO  
■ High performance  
■ Compatible with JEDEC standards  
— Access times as fast as 70 ns  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply Flash standard  
■ Low power consumption  
— 25 mA typical active read current  
— 30 mA typical program/erase current  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and toggle bits  
— 1 µA typical standby current (standard access  
time to active mode)  
— Provides a software method of detecting  
program or erase cycle completion  
■ Flexible sector architecture  
— 16 uniform sectors of 64 Kbytes each  
— Any combination of sectors can be erased.  
— Supports full chip erase  
■ Ready/Busy# output (RY/BY#)  
— Provides a hardware method for detecting  
program or erase cycle completion  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
— Group sector protection:  
— Suspends a sector erase operation to read data  
from, or program data to, a non-erasing sector,  
then resumes the erase operation  
A hardware method of locking sector groups to  
prevent any program or erase operations within  
that sector group  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
Temporary Sector Group Unprotect allows code  
changes in previously locked sectors  
— Resets internal state machine to the read mode  
■ Embedded Algorithms  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies bytes at specified addresses  
Publication# 21503 Rev: C Amendment/+1  
Issue Date: April 1998  
1234567...37

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