是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 32 | 端子数量: | 44 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F016-120FE | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
AM29F016-120FEB | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM | |
AM29F016-120FI | AMD |
获取价格 |
16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory | |
AM29F016-120FI | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48 | |
AM29F016-120FIB | AMD |
获取价格 |
16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory | |
AM29F016-120FIB | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, TSOP-48 | |
AM29F016-120SC | AMD |
获取价格 |
16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory | |
AM29F016-120SC | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO44, SOP-44 | |
AM29F016-120SCB | AMD |
获取价格 |
16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory | |
AM29F016-120SCB | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, SOP-48 |