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AM29F010-90JEB

更新时间： 2024-09-18 23:04:19

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	349K
描述
1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F010-90JEB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.41	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	100K WRITE/ERASE CYCLES MIN	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.55 mm
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

AM29F010-90JEB 数据手册

FINAL

Am29F010

1 Megabit (128 K x 8-bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Embedded Algorithms

— 5.0 V ± 10% for read, erase, and program

— Embedded Erase algorithm automatically

pre-programs and erases the chip or any

combination of designated sector

operations

— Simplifies system-level power requirements

— Embedded Program algorithm automatically

programs and verifies data at specified address

■ High performance

— 45 ns maximum access time

■ Minimum 100,000 program/erase cycles

■ Low power consumption

guaranteed

— 30 mA max active read current

— 50 mA max program/erase current

— <25 µA typical standby current

■ Package options

— 32-pin PLCC

— 32-pin TSOP

— 32-pin PDIP

■ Flexible sector architecture

— Eight uniform sectors

■ Compatible with JEDEC standards

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

— Pinout and software compatible with

single-power-supply flash

■ Sector protection

— Superior inadvertent write protection

— Hardware-based feature that disables/re-

enables program and erase operations in any

combination of sectors

■ Data# Polling and Toggle Bits

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

— Sector protection/unprotection can be

implemented using standard PROM

programming equipment

Publication# 16736 Rev: G Amendment/+2

Issue Date: March 1998

12 3 4 5 6 7...31

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