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AM29DS323DT120EI

更新时间: 2024-11-18 22:56:35
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
54页 960K
描述
32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

AM29DS323DT120EI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.21最长访问时间:120 ns
其他特性:20 YEAR DATA RETENTION备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
数据保留时间-最小值:20JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:8,63端子数量:48
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:2 V编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:8K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):2.2 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

AM29DS323DT120EI 数据手册

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Am29DS323D  
Data Sheet  
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Continuity of Specifications  
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Continuity of Ordering Part Numbers  
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For More Information  
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PHPRU\ꢀVROXWLRQVꢄ  
Publication Number 23480 Revision A Amendment +3 Issue Date November 22, 2000  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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