是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.72 | 最长访问时间: | 90 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM28F020-90EIB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-90FC | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-90FCB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-90FE | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-90FE | ROCHESTER |
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Flash, 256KX8, 90ns, PDSO32, REVERSE, TSOP-32 | |
AM28F020-90FEB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-90FI | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-90FIB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-90JC | ROCHESTER |
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Flash, 256KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AM28F020-90JC | AMD |
获取价格 |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory |