生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | PLASTIC, LCC-32 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | 10K WRITE/ERASE CYCLES MIN |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 编程电压: | 12 V |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子位置: | QUAD |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM28F020-150JCB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-150JE | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-150JEB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-150JI | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-150JI | ROCHESTER |
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Flash, 256KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AM28F020-150JIB | AMD |
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2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory | |
AM28F020-150LC | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM28F020-150LE | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM28F020-150LEB | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AM28F020-150LI | ETC |
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x8 Flash EEPROM |