是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP18,.3 | 针数: | 18 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 8.6 |
最长访问时间: | 70 ns | JESD-30 代码: | R-GDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22.86 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | OTP ROMs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM27S33A | AMD |
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DISTINCTIVE CHARACTERISTICS | |
AM27S33A/B2A | ROCHESTER |
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OTP ROM, 1KX4, 45ns, Bipolar, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | |
AM27S33A/B2C | ROCHESTER |
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OTP ROM, 1KX4, 45ns, Bipolar, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | |
AM27S33A/BVA | ROCHESTER |
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OTP ROM, 1KX4, 45ns, Bipolar, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 | |
AM27S33ADC | ROCHESTER |
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OTP ROM, 1KX4, 35ns, Bipolar, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 | |
AM27S33ADCB | ETC |
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x4 PROM | |
AM27S33ADM | ROCHESTER |
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OTP ROM | |
AM27S33ADMB | ROCHESTER |
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OTP ROM | |
AM27S33AFC | ETC |
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x4 PROM | |
AM27S33AFCB | ETC |
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x4 PROM |