是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 200 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 42.1005 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.588 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM27C040-200DIB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C040-200EC | ETC |
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x8 EPROM | |
AM27C040-200EI | ETC |
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x8 EPROM | |
AM27C040-200JC | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C040-200JC | SPANSION |
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OTP ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AM27C040-200JE | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C040-200JI | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C040-200LCB | ETC |
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x8 EPROM | |
AM27C040-200LEB | ETC |
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x8 EPROM | |
AM27C040-200LIB | ETC |
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x8 EPROM |