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AM27C040-200JI

更新时间： 2024-11-16 22:56:31

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超微 - AMD		内存集成电路可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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13页	168K
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM

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AM27C040-200JI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.88	最长访问时间：	200 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.556 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

AM27C040-200JI 数据手册

FINAL

Am27C040

4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ Single +5 V power supply

— Available in speed options as fast as 90 ns

■ Low power consumption

■ ±10% power supply tolerance standard

■ 100% Flashrite™ programming

— Typical programming time of 1 minute

— <10 µA typical CMOS standby current

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

■ JEDEC-approved pinout

V_CC+ 1 V

— Plug-in upgrade for 1 Mbit and 2 Mbit EPROMs

— Easy upgrade from 28-pin JEDEC EPROMs

■ High noise immunity

■ Compact 32-pin DIP, PDIP, PLCC packages

GENERAL DESCRIPTION

The Am27C040 is a 4 Mbit ultraviolet erasable pro-

grammable read-only memory. It is organized as 512K

bytes, operates from a single +5 V supply, has a static

standby mode, and features fast single address loca-

tion programming. The device is available in windowed

ceramic DIP packages and plastic one-time program-

mable (OTP) packages.

thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-

processor system.

AMD’s CMOS process technology provides high

speed, low power, and high noise immunity. Typical

power consumption is only 100 mW in active mode,

and 50 µW in standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in

blocks, or at random. The device supports AMD’s

Flashrite programming algorithm (100 µs pulses) re-

sulting in typical programming time of 1 minute.

Data can be typically accessed in less than 90 ns, al-

lowing high-performance microprocessors to operate

without any WAIT states. The device offers separate

Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ7

Output Enable

Chip Enable

and

OE#

Output

Buffers

Prog Logic

CE#/PGM#

Gating

Decoder

A0–A18

Address

Inputs

4,194,304-Bit

Cell Matrix

Decoder

14971G-1

Publication# 14971 Rev: G Amendment/0

Issue Date: May 1998

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