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AM27C020-55DC500

更新时间： 2024-01-17 23:58:45
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 1145K
描述
UVPROM, 512MX8, 25ns, CMOS, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, ULGA-52

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AM27C020-55DC500 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：LGA
包装说明：VFLGA,针数：52
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.61风险等级：5.84
最长访问时间：25 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B52
长度：17 mm内存密度：4294967296 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：52
字数：536870912 words字数代码：512000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFLGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL座面最大高度：0.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BUTT端子位置：BOTTOM
宽度：12 mmBase Number Matches：1

AM27C020-55DC500 数据手册

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Advance  
FLASH MEMORY  
K9K8G08U1B  
K9F4G08U0B K9F4G08B0B  
512M x 8 Bit / 1G x 8 Bit NAND Flash Memory  
PRODUCT LIST  
Part Number  
K9F4G08B0B-P  
K9F4G08U0B-P  
K9F4G08U0B-I  
K9K8G08U1B-I  
Vcc Range  
Organization  
PKG Type  
2.50 ~ 2.90V  
TSOP1  
X8  
2.70 ~ 3.60V  
52ULGA  
FEATURES  
• Fast Write Cycle Time  
• Voltage Supply  
- Page Program time : 200µs(Typ.)  
- Block Erase Time : 1.5ms(Typ.)  
• Command/Address/Data Multiplexed I/O Port  
• Hardware Data Protection  
- 2.7V Device(K9F4G08B0B) : 2.5V ~ 2.9V  
- 3.3V Device(K9F4G08U0B) : 2.7V ~ 3.6V  
• Organization  
- Memory Cell Array : (512M + 16M) x 8bit  
- Data Register : (2K + 64) x 8bit  
• Automatic Program and Erase  
- Page Program : (2K + 64)Byte  
- Block Erase : (128K + 4K)Byte  
• Page Read Operation  
- Page Size : (2K + 64)Byte  
- Random Read : 25µs(Max.)  
- Serial Access : 25ns(Min.)  
- Program/Erase Lockout During Power Transitions  
• Reliable CMOS Floating-Gate Technology  
-Endurance : 100K Program/Erase Cycles(with 1bit/528Byte  
ECC)  
- Data Retention : 10 Years  
• Command Driven Operation  
• Unique ID for Copyright Protection  
• Package :  
- K9F4G08B0B-PCB0/PIB0  
48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)  
- K9F4G08U0B-PCB0/PIB0  
48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)  
- K9F4G08U0B-ICB0/IIB0  
52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm pitch)  
- K9K8G08U1B-ICB0/IIB0  
52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm pitch)  
GENERAL DESCRIPTION  
Offered in 512Mx8bit, the K9F4G08X0B is a 4G-bit NAND Flash Memory with spare 128M-bit. The device is offered in 2.7V and 3.3V  
Vcc. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state application market. A program operation can be per-  
formed in typical 200µs on the (2K+64)Byte page and an erase operation can be performed in typical 1.5ms on a (128K+4K)Byte  
block. Data in the data register can be read out at 25ns cycle time per Byte. The I/O pins serve as the ports for address and data  
input/output as well as command input. The on-chip write controller automates all program and erase functions including pulse repe-  
tition, where required, and internal verification and margining of data. Even the write-intensive systems can take advantage of the  
K9F4G08X0B′s extended reliability of 100K program/erase cycles by providing ECC(Error Correcting Code) with real time mapping-  
out algorithm. The K9F4G08X0B is an optimum solution for large nonvolatile storage applications such as solid state file storage and  
other portable applications requiring non-volatility.  
Samsung Confidential  
3
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