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ALD1116DA

更新时间： 2024-11-28 22:34:19
品牌 Logo 应用领域
先进线性 - ALD /
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
QUAD/DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY

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ALD1116DA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：IN-LINE, R-GDIP-T8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.9其他特性：LOW THRESHOLD, HIGH INPUT IMPEDANCE
配置：COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：12 V
最大漏源导通电阻：500 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-GDIP-T8湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

ALD1116DA 数据手册

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A
L
D
DVANCED  
INEAR  
EVICES, INC.  
ALD1106/ALD1116  
QUAD/DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY  
GENERAL DESCRIPTION  
APPLICATIONS  
The ALD1106/ALD1116 are monolithic quad/dual N-channel enhance-  
mentmodematched MOSFETtransistorarraysintendedforabroadrange  
• Precision current mirrors  
• Precision current sources  
• Voltage choppers  
• Differential amplifier input stage  
• Voltage comparator  
• Data converters  
of precision analog applications. The ALD1106/ALD1116 offer high input  
impedance and negative current temperature coefficient. The transistor  
pairs are matched for minimum offset voltage and differential thermal  
response, and they are designed for switching and amplifying applications  
in+2Vto+12Vsystemswherelowinputbiascurrent, lowinputcapacitance  
andfastswitchingspeedaredesired.TheseMOSFETdevicesfeaturevery  
large(almostinfinite)currentgaininalowfrequency, ornearDC, operating  
environment. The ALD1106/ALD1116 are building blocks for differential  
amplifier input stages, transmission gates, and multiplexer applications,  
current sources and many precision analog circuits.  
• Sample and Hold  
• Analog signal processing  
PIN CONFIGURATION  
ALD1116  
D
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
N1  
N2  
FEATURES  
G
S
• Low threshold voltage of 0.7V  
• Low input capacitance  
• Low Vos 2mV typical  
• High input impedance -- 10 Ω typical  
• Negative current (I ) temperature coefficient  
DS  
• Enhancement-mode (normally off)  
N2  
N1  
S
N1  
N2  
+
14  
-
V
V
9
DA, PA, SA PACKAGE  
ALD1106  
• DC current gain 10  
• Low input and output leakage currents  
1
ORDERING INFORMATION  
Operating Temperature Range*  
D
1
2
3
4
5
6
14  
13  
12  
11  
10  
9
D
N1  
N2  
G
G
N2  
N1  
-55°C to +125°C  
0°C to +70°C  
0°C to +70°C  
S
S
N1  
N2  
+
8-Pin CERDIP  
Package  
8-Pin Plastic Dip  
Package  
8-Pin SOIC  
Package  
-
V
V
D
ALD1116 DA  
ALD1116 PA  
ALD1116 SA  
D
G
N4  
N3  
14-Pin CERDIP  
Package  
14-Pin Plastic Dip  
Package  
14-Pin SOIC  
Package  
G
S
N3  
N4  
S
8
7
N4  
N3  
ALD1106 DB  
ALD1106 PB  
ALD1106 SB  
* Contact factory for industrial temperature range.  
DB, PB, SB PACKAGE  
BLOCK DIAGRAM  
BLOCK DIAGRAM  
ALD1116  
ALD1106  
+
+
V
(11)  
V
(5)  
D
(14)  
D
(5)  
D
N2  
(8)  
D
N1  
(1)  
D
N3  
(10)  
D
N1  
(1)  
N2  
N4  
~
~
G
N1  
(2)  
G
(13)  
G
N3  
(9)  
G
(6)  
G
(2)  
G
(7)  
N2  
N2  
N4  
N1  
-
-
-
V (4)  
V
(4)  
V
(4)  
S
N1  
(3)  
S
(12)  
S
N3  
(8)  
S
(7)  
S
N1  
(3)  
S
N2  
(6)  
N2  
N4  
© 1998 Advanced Linear Devices, Inc. 415Tasman Drive, Sunnyvale, California 94089 -1706 Tel: (408) 747-1155 Fax: (408) 747-1286 http://www.aldinc.com  
1234

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