Datasheet > AGR09045EU

AGR09045EU

更新时间： 2024-01-11 18:11:44

品牌	Logo	应用领域
TRIQUINT		晶体晶体管电子放大器
页数	文件大小	规格书
7页	310K
描述
45 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AGR09045EU 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	4.25 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AGR09045EU 数据手册

AGR09045E

45 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

Electrical Characteristics

Recommended operating conditions apply unless otherwise specified: TC = 30 °C.

Table 4. dc Characteristics

Parameter

Symbol

Min

Typ Max

Unit

Off Characteristics

200

Drain-source Breakdown Voltage (VGS = 0, ID = 100 µA)

Gate-source Leakage Current (VGS = 5 V, VDS = 0 V)

Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (VDS = 28 V, VGS = 0 V)

On Characteristics

V(BR)DSS

IGSS

—

Vdc

µAdc

1.3

IDSS

Forward Transconductance (VDS = 10 V, ID = 1.0 A)

Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 400 µA)

Gate Quiescent Voltage (VDS = 28 V, IDQ = 450 mA)

Drain-source On-voltage (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)

GFS

—

4.8

—

VGS(TH)

VGS(Q)

VDS(ON)

—

Vdc

3.5

0.25

—

Table 5. RF Characteristics

Parameter

Symbol Min

Typ Max

Unit

Dynamic Characteristics

Input Capacitance

(VDS = 28 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)

C^ISS

C^OSS

CRSS

—

Output Capacitance

(VDS = 28 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)

Reverse Transfer Capacitance

1.2

(VDS = 28 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)

(in Supplied Test Fixture)

Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)

(Test frequencies (f) = 865 MHz, 880 MHz, 895 MHz)

Linear Power Gain

(VDS = 28 V, POUT = 6 W, IDQ = 450 mA)

—

Output Power

(VDS = 28 V, 1 dB compression, IDQ = 450 mA)

P1dB

Drain Efficiency

(VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 450 mA)

Third-order Intermodulation Distortion

(100 kHz spacing, VDS = 28 V, POUT = 45 WPEP, IDQ = 450 mA)

IMD

–31

dBc

Input Return Loss

IRL

—

Ruggedness

No degradation in output power.

(VDS = 28 V, POUT = 45 W, IDQ = 450 mA, f = 880 MHz,

VSWR = 10:1, all angles)

123 4 5 6 7

下载PDF

与AGR09045EU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AGR09070EF	TRIQUINT	70 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET	获取价格
AGR09085E	TRIQUINT	85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET	获取价格
AGR09085EF	TRIQUINT	85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET	获取价格
AGR09085EU	TRIQUINT	85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET	获取价格
AGR09090EF	TRIQUINT	90 W, 865 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET	获取价格
AGR09130E	TRIQUINT	130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET	获取价格